Москва, Пятницкое шоссе, 18, 2 этаж, пав 372
Твердотельный накопитель Samsung 860 QVO 1 ТБ SATA MZ-76Q1T0BW
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Производитель
Samsung
Время наработки на отказ
1500000 ч
Высота
6.8 мм
Длина
100 мм
Емкость
1000 ГБ
Интерфейс SATA
SATA 6Gb/s
Контроллер
Samsung MGX
Линейка
870 QVO
Макс. рабочая температура
70° C
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Объем буфера
1000 МБ
Поддержка TRIM
есть
Поддержка секторов размером 4 КБ
есть
Потребляемая мощность
4 Вт
Скорость записи
530 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)
88000 IOPS
Скорость чтения
560 МБ/с
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
360 ТБ
Тип флэш-памяти
V-NAND 4bit MLC
Ударостойкость при хранении
1500 G
Форм-фактор
2.5"
Ширина
69.85 мм
Шифрование данных
есть
Форм-фактор - 2.5"
Емкость - 1000 ГБ
Скорость чтения/записи - 550 МБ/с / 520 МБ/с
Интерфейсы - SATA 6Gb/s
Разъем - SATA
Объем буфера - 1024 МБ
Тип флэш-памяти - V-NAND 4-bit MLC
Контроллер - Samsung MJX
Время наработки на отказ - 1500000 ч
Рекомендован - для ноутбука и настольного компьютера, игровой
ШхДхВ - 69.85х100х6.80 мм, вес: 51 г
Емкость - 1000 ГБ
Скорость чтения/записи - 550 МБ/с / 520 МБ/с
Интерфейсы - SATA 6Gb/s
Разъем - SATA
Объем буфера - 1024 МБ
Тип флэш-памяти - V-NAND 4-bit MLC
Контроллер - Samsung MJX
Время наработки на отказ - 1500000 ч
Рекомендован - для ноутбука и настольного компьютера, игровой
ШхДхВ - 69.85х100х6.80 мм, вес: 51 г
Отзывы не найдены