Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO Plus 4 ГБ M.2 MZ-V9S4T0BW

0210710
Скидка 26%
Стоимость и сроки доставки:
Москва
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW — высокопроизводительное устройство хранения данных, предназначенное для использования в компьютерных системах, которым требуется высокая скорость чтения и записи, надёжность и производительность.

Некоторые технические характеристики:
объём накопителя: 4 ТБ;
форм-фактор: M.2 2280;
интерфейс: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0;
максимальная скорость последовательного чтения: до 7250 МБ/с;
максимальная скорость последовательной записи: до 6300 МБ/с;
тип флэш-памяти: V-NAND TLC (3D NAND);
скорость произвольного чтения (4 КБ, QD32): 1 050 000 IOPS;
скорость произвольной записи (4 КБ, QD32): 1 400 000 IOPS;
ресурс перезаписи (TBW): 2400 ТБ;
время наработки на отказ (MTBF): 1 500 000 часов;
поддержка Host Memory Buffer (HMB): да;
размеры: 80,15 × 22,15 × 2,38 мм;
вес: макс. 9,0 г.

Накопитель подходит для хранения большого объёма данных, включая операционные системы, программы, игры, мультимедийные файлы и многое другое.
25 990.00 Р
34 990.00 Р
Вы экономите: 9 000.00 Р
В наличии
Нужен индивидуальный подбор?

Варианты оплаты
  • — Наличными в магазине
  • — Наличными курьеру
Обратите внимание

Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах. 

Внимание! Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.

Производитель
Samsung
Штрихкод
8806095575667
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW — высокопроизводительное устройство хранения данных, предназначенное для использования в компьютерных системах, которым требуется высокая скорость чтения и записи, надёжность и производительность.

Некоторые технические характеристики:
объём накопителя: 4 ТБ;
форм-фактор: M.2 2280;
интерфейс: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0;
максимальная скорость последовательного чтения: до 7250 МБ/с;
максимальная скорость последовательной записи: до 6300 МБ/с;
тип флэш-памяти: V-NAND TLC (3D NAND);
скорость произвольного чтения (4 КБ, QD32): 1 050 000 IOPS;
скорость произвольной записи (4 КБ, QD32): 1 400 000 IOPS;
ресурс перезаписи (TBW): 2400 ТБ;
время наработки на отказ (MTBF): 1 500 000 часов;
поддержка Host Memory Buffer (HMB): да;
размеры: 80,15 × 22,15 × 2,38 мм;
вес: макс. 9,0 г.

Накопитель подходит для хранения большого объёма данных, включая операционные системы, программы, игры, мультимедийные файлы и многое другое.

Отзывы не найдены

Похожие товары из этой категории
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по Москве и Московской области

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены

Наши награды

Наш магазин является авторизованым продавцом этих марок