Закажите у нас бесплатную
консультацию по стоимости ПК

подберем новые комплектующие на ваш бюджет и под ваши задачи

DDR3 (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 , увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (вначале — 90 нм, в дальнейшем — 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

CAS Latency (CL)11 Буферизованная (Registered)Нет Напряжение питания1.5 В Низкопрофильная (Low Profile)да Объем1 модуль 8 ГБ
CAS Latency (CL)9 RAS to CAS Delay (tRCD)9 Row Precharge Delay (tRP)9 Буферизованная (Registered)Нет Количество ранков2
Activate to Precharge Delay (tRAS)28 CAS Latency (CL)11 RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет
CAS Latency (CL)11 RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет Количество ранков2
CAS Latency (CL)10 RAS to CAS Delay (tRCD)10 Row Precharge Delay (tRP)10 Буферизованная (Registered)Нет Количество ранков2
CAS Latency (CL)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет Напряжение питания1.35 В Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)11 Буферизованная (Registered)Нет Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка Напряжение питания1.35 В Низкопрофильная (Low Profile)нет
CAS Latency (CL)11 RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет Количество ранков2