0812461
1 740.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)28 Объем1 модуль 4 ГБ Тип памятиDDR3 Тактовая частота1600 МГц Пропускная способность12800 МБ/с
0812368
2 490.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)24 CAS Latency (CL)11 RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет
0812319
4 490.00 Р
CAS Latency (CL)9 RAS to CAS Delay (tRCD)9 Row Precharge Delay (tRP)9 Буферизованная (Registered)Нет Количество ранков2
0812323
3 150.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)28 Объем1 модуль 8 ГБ Тип памятиDDR3L Тактовая частота1600 МГц Пропускная способность12800 МБ/с
0812313
3 290.00 Р
CAS Latency (CL)11 RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет Количество ранков2
AFSD34BN1P
3 200.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)38 CAS Latency (CL)17 RAS to CAS Delay (tRCD)17 Row Precharge Delay (tRP)17 Буферизованная (Registered)Нет
PSD34G1600L81S
1 780.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)28 Объем1 модуль 4 ГБ Тип памятиDDR3L Тактовая частота1600 МГц Пропускная способность12800 МБ/с
PSD38G16002S
3 150.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)28 Объем1 модуль 8 ГБ Тип памятиDDR3 Тактовая частота1600 МГц Пропускная способность12800 МБ/с
TED3L8G1600C11-S01
2 890.00 Р
Activate to Precharge Delay (tRAS)28 CAS Latency (CL)11 RAS to CAS Delay (tRCD)11 Row Precharge Delay (tRP)11 Буферизованная (Registered)Нет